美国工程院院士、中科院外籍院士萨支唐教授莅临“福建省柔性功能材料重点实验室”讲学交流

美国工程院院士、中科院外籍院士萨支唐教授莅临“福建省柔性功能材料重点实验室”讲学交流

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86日,美国工程院院士、中科院外籍院士萨支唐教授莅临“福建省柔性功能材料重点实验室”讲学,介绍了纯水的物理学问题和相关模型建立的基本原理。报告从几个方面介绍了萨教授课题组研究的纯水的氧晶格模型,包括可俘获两倍质子的重要性能特征、氧核的振动而非平移、正负质点的平移质子的迁移惯性质量/势能和动量/动能/电磁能、由本征的和非本征的质子化声子辅助的正负质子俘获转移、三次质子俘获传输通道、本征/非本征/谐振声子或非谐振声子这三种参与情况、爱因斯坦声子控制的俘获作用、质子陷阱中自陷的动态Jahn-Teller效应或者质子极化形成、不需在三种声子中最活跃的声子中最深的俘获陷阱进行运输的极化作用、有效的玻恩-奥本海默近似。

萨支唐,(Chih-Tang Sah),美国微电子学家。生于中国北京。1949年赴美国就读于伊利诺伊大学,1953年获得学士学位后又到斯坦福大学学习,并于1956年在斯坦福大学获得博士学位。1956年起,他跟随肖克利在工业界共同从事固态电子学方面的研究,1959年至1964年供职于仙童公司。1964年他来到伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校任物理系和电子及计算机系教授达26年,培养出40名博士。1988年起,他在佛罗里达大学担任教授至今。获美国国家工程院院士(1986),台湾“中研院”院士(1998)。2000年当选为中国科学院外籍院士。萨支唐教授长期致力于半导体器件和微电子学研究,对发展晶体管、集成电路以及可靠性研究作出了里程碑性质的贡献。他提出了半导体p-n结中电子-空穴复合理论。开发了半导体局域扩散的平面工艺和MOSCMOS场效应晶体管,并提出MOS晶体管理论模型。发明了探测半导体中微量缺陷的深能级瞬态谱(DLTS)方法。发现了氢在硅中对受主杂质的钝化作用。近期致力于亚微米MOS晶体管的可靠性研究。曾获半导体工业协会(SIA)最高奖(1998)等多项奖励。

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